当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为：

    U=KIB／d 　　(1)

    式中,K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比。

    霍尔开关属于有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时,又可满足工业场合实际应用中易操作和可靠性的要求。

    霍尔开关具有无触点、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点,其内部用环氧树脂封灌成一体化,所以能在各类恶劣环境下可靠应用于接近开关、压力开关、里程表等方面,是一种新型的电器配件。其内部原理图如图1所示。