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采用WLP封装，内部集成了54m?(典型值)低导通电阻(RON)FET，能够在3A连续电流条件下为低压系统提供高达+36V的电压保护，反向偏置电路允许设备同时连接两路电源。内部两个背靠背FET避免输出电压向输入端反向供电。反向偏置电路替代多个大体积外部分立元件，为终端设备提供可靠保护。
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| MAX14606来源于瑞达科技网 | |
| 作者：佚名 文章来源：不详 点击数 更新时间：2012/7/7 文章录入：瑞达 责任编辑：瑞达科技 | |
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【性能 参数】 采用WLP封装，内部集成了54m?(典型值)低导通电阻(RON)FET，能够在3A连续电流条件下为低压系统提供高达+36V的电压保护，反向偏置电路允许设备同时连接两路电源。内部两个背靠背FET避免输出电压向输入端反向供电。反向偏置电路替代多个大体积外部分立元件，为终端设备提供可靠保护。 引脚排列图：
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