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作者:佚名  文章来源:不详  点击数  更新时间:2014/4/6   文章录入:瑞达  责任编辑:瑞达科技

【用 途】     SDRAM存储器

【性能 参数】
    特征
  
  1.VDD,VDDQ=1.8V+/-0.1V
  
  2.所有输入和输出符合SSTL_18接口
  
  3.整个差分输入(CK,/CK)操作
  
  4.双工数据率接口
  
  5.源同步数据交易相一致的双向数据选通(DQS,/DQS)
  
  6.差分数据选通(DQS,/DQS)
  
  7.数据输出在DQS,/DQS边沿,当读时(DQ边沿)
  
  8.数据输入在DQS中心,当写时(DQ中心)
  
  10.DM掩码写入数据,在上升和下降沿的数据选通时
  
  11.所有的地址和控制输入除了数据,数据选通和在时钟的上升沿锁存数据掩盖
  
  12.支持可编程CAS延迟3,4,5和6
  
  13.支持可编程添加剂延迟0,1,2,3,4和5
  
  14.可编程的突发长度4/8蚕食顺序与交错模式
  
  15.内部四行操作单一RAS脉冲
  
  16.支持自动刷新
  
  17.支持tRAS锁存
  
  18.8K刷新周期/64ms
  
  19.JEDEC标准84ballFBGA(*16):8mm*13mm
  
  20.充分的强度驱动选择控制通过EMRS
  
  21.死区终端支持
  
  22.支持部分阵列自刷新
  
  23.工作温度:-40℃到85℃

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