1. 针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。

2. 针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。

二、射极偏置电路稳定工作点的原理：

射极偏置电路如图1所示，其直流通路如图2所示。

电路参数选择使电路满足I1>>IB条件，  

可得   VB »  Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。

当温度上升® IC（IE）增加® IERe增加® VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB一定）® IB自动减小® 结果牵制了IC的增加，IC 基本恒定。设计此种电路时，一般可选取：

I1=（5~10）IB （硅管）

I1=（10~20）IB （锗管）

VB=（3~5）V  （硅管） 

VB=（1~3）V   （锗管）

一、射极偏置电路静态分析

分析电路的静态工作点要以直流通路作为分析依据。将图1射极偏置电路中的耦合电容Cb1、Cb2开路，画出其直流通路如图2所示。