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FODM611

【用 途】     光耦电路

【性能 参数】

  采用采用微型扁平的SO-5封装,3.3V和5V双电源供电,满足CMOS逻辑,具有电平转换能力,优秀的噪声抑制能力,包括瞬态共模抑制(CMTI)和电源噪声抑制(PSR),40kV/μs静态CMTI@VCM=1000V,25kV/μs动态CMTI@VCM=1500V,20M波特率,能够抑制10%以上的电源电压噪声(PSR),高达25Mbps的带宽和6ns脉宽失真度,超出工业温度范围(-40°C至+105°C)的电气特性,通过UL1577(3,750VACRMS/1min)和IEC60747-5-2认证*,具有更高可靠性。

          引脚排列及内部方框图

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