变面积型电容传感器
变面积型电容传感器中,平板形结构对极距变化特别敏感,测量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小,成为实际中最常采用的结构,其中线位移单组式的电容量C在忽略边缘效应时为
l—外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度;
r2、r1 —圆筒内半径和内圆柱外半径。
当两圆筒相对移动Δl时,电容变化量ΔC为
这类传感器具有良好的线性,大多用来检测位移等参数。
变面积型电容传感器
变面积型电容传感器中,平板形结构对极距变化特别敏感,测量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小,成为实际中最常采用的结构,其中线位移单组式的电容量C在忽略边缘效应时为
l—外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度;
r2、r1 —圆筒内半径和内圆柱外半径。
当两圆筒相对移动Δl时,电容变化量ΔC为
这类传感器具有良好的线性,大多用来检测位移等参数。
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