【用　途】     栅极驱动电路

【性能 参数】

　　采用SOIC8封装，10V至20V之间的栅极驱动，采用了专有的高压集成电路 (HVIC) 和锁存CMOS技术，具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可以达到600V，具有欠压闭锁功。输出信号与输入信号反相，CMOS 施密特触发器输入端采用上拉电阻。

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