【用　途】     Flash存储器

【性能 参数】
  　　采用48引脚TSOP封装。
　　
　　特点
1. 电压：3.3V设备（K9F1G08U0B）：2.70V～3.60V
2. 构架
  存储器单元阵列：（128M+4M）*8位
  数据寄存器：（2K+64）*8位
3. 自动编程和擦除
  页编程：（2K+64）字节
  区域擦除：（128K+4K）字节
4. 页读取操作
  页大小：（2K+64）字节
  随机读取：25us（最大值）
  串行存取：25ns（最小值）
5. 快速写周期时间
  页编程：200us（Typ.）
  区域擦除：1.5ms（Typ.）
6. 命令/地址/数据多元I/O端口
7. 硬件数据保护
  可编程/擦除锁存在功率转换期间
8. 可靠的CMOS浮动门技术
  忍耐力：100K可编程/擦除周期（1位/512字节ECC）
  数据保留：10年
9. 命令驱动操作
10. 智能复制返回内部1bit/528byte EDC
11. 独一无二的ID版权保护

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