1 半导体三极管的特性曲线

       本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即

       输入特性曲线—— I_B=f (U_BE)½     

       输出特性曲线—— I_C=f (U_CE)½

        这里下标BE、CE中的E表示公共电极，B表示输入电极，C表示输出电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。

        I_B是输入电流，U_BE是输入电压，加在B、E两电极之间。

        I_C是输出电流，U_CE是输出电压，从C、E两电极取出。

        共发射极接法的供电电路和电压、电流关系如图2-2-1所示。

图2-2-1 共发射极接法的电压电流关系

1 输入特性曲线

共发射极接法的输入特性曲线

2 输出特性曲线

共发射极接法的输出特性曲线

输出特性曲线可以分为三个区域

       饱和区——I_C受U_CE显著控制的区域，该区域内U_CE的数值较小，一般U_CE＜0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

图2-2-4  共发射极接法输出特性曲线

       截止区——I_C接近零的区域，相当I_B=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。

       放大区——I_C平行于U_CE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，U_BE电压大约在0.7 V左右(硅管)。

2 半导体三极管的参数

        半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。直流参数一般用于三极管静止工作状态的计算；交流参数用于有信号加入时的动态工作状态的计算；极限参数是为了保证三极管可靠工作而设立的，超过极限参数三极管会损坏或其放大能力会明显下降。

.1 直流参数

三极管的直流参数包括

1．直流电流放大系数

2．极间反向电流

当温度上升时，I_CBO会很快增加。I_CBO增加，I_CEO也随之增加，输出特性曲线会明显上移，这说明三极管的温度稳定性较差。越大，I_CEO受温度的影响越大。由于工艺水平的提高，目前硅三极管的I_CEO在10纳安到几微安，锗三极管的I_CEO在几微安到几毫安。

2 交流参数

三极管的交流参数包括

1. 交流电流放大系数

2．频率参数

频率参数反映三极管的放大能力与频率的关系，三极管的放大能力一般由电流放大系数来体现。当信号频率达到一定高度时，三极管的电流放大系数要下降，以此三极管可以分为低频管和高频管。三极管的频率参数主要有特征频率和截止频率几种。

3  极限参数

三极管的极限参数包括：

1．集电极最大允许电流ICM

2．集电极最大允许功率损耗PCM

3．反向击穿电压

3 半导体三极管的型号

国家标准对半导体三极管的命名如下

        第一位：2代表二极管，3代表三极管。

        第二位：A为锗PNP管、B为锗NPN管、C为硅PNP管、D为硅NPN管

第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频大功率管、K表示开关管。