1．集电极最大允许电流I_CM

当集电极电流增加时，b就要下降，当b值下降到线性放大区b值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I_CM。至于b值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当I_C＞I_CM时，并不表示三极管一定会过流而损坏。  

    图2-2-8  三极管的功耗曲线

2．集电极最大允许功率损耗P_CM

图2-2-8  三极管的功耗曲线

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，P_CM= I_CU_CB≈I_CU_CE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用U_CE取代U_CB。三极管的功耗可以在输出特性曲线上用功耗曲线表示，见图2-2-8。

3．反向击穿电压

    反向击穿电压表示三极管两个电极间承受反向电压的能力，第三个电极可以是开路、短路等不同的状态，其测试时的原理电路如图2-2-9所示。

(a)  U_(BR)CBO测试电路                          (b)  U_(BR)CEO测试电路

图2-2-9  三极管击穿电压的测试电路

    U_(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。

    U_(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

    三极管在使用时均不允许超过击穿电压值，并留有余量，这两个击穿电压有如下关系：

U_(BR)CBO＞U_(BR)CEO